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RQ電阻器基本原理以及發(fā)展

更新時(shí)間:2014-02-13      瀏覽次數(shù):2690
   上海永上電器有限公司的RQ電阻器基本原理以及發(fā)展
   RQ電阻器由電阻體、骨架和引出端三部分構(gòu)成(實(shí)芯電阻器的電阻體與骨架合而為一),而決定阻值的只是電阻體。對(duì)于截面均勻的電阻體,電阻值為
電阻值式中ρ為電阻材料的電阻率(歐/厘米);L為電阻體的長(zhǎng)度(厘米);A為電阻體的截面積(厘米)。
薄膜電阻體的厚度d很小,難于測(cè)準(zhǔn),且ρ又隨厚度而變化,故把視為與薄膜材料有關(guān)的常數(shù),稱為膜電阻。實(shí)際上它就是正方形薄膜的阻值,故又稱方阻(歐/方)。對(duì)于均勻薄膜薄膜阻值式中W為薄膜的寬度(厘米)。通常Rs應(yīng)在一有限范圍內(nèi),Rs太大會(huì)影響電阻器性能的穩(wěn)定。因此圓柱形電阻體以刻槽方法,平面形電阻體用刻蝕迂回圖形的方法來擴(kuò)大其阻值范圍,并進(jìn)行阻值微調(diào)。
參數(shù)與特性  表征電阻特性的主要參數(shù)有標(biāo)稱阻值及其允許偏差、額定功率、負(fù)荷特性、電阻溫度系數(shù)等。
標(biāo)稱阻值 用數(shù)字或色標(biāo)在電阻器上標(biāo)志的設(shè)計(jì)阻值。單位為歐(Ω)、千歐(kΩ)、兆歐(MΩ)、太歐(TΩ)。阻值按標(biāo)準(zhǔn)化優(yōu)先數(shù)系列制造,系列數(shù)對(duì)應(yīng)于允許偏差。
  如何使用上表:四環(huán)電阻:一環(huán)數(shù)字(十位)二環(huán)數(shù)字(個(gè)位)*倍乘數(shù) 例;紅橙黑金=23*10^0=23Ω(±5%)
五環(huán)電阻:一環(huán)數(shù)字(百位)二環(huán)數(shù)字(十位)三環(huán)數(shù)字(個(gè)位)*倍乘數(shù)例:紅藍(lán)綠黑棕=265*10^0=265Ω(±1%)
允許偏差 實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值間允許的zui大偏差,以百分比表示。常用的有±5%、±10%、±20%,精密的小于±1%,高精密的可達(dá)0.001%。精度由允許偏差和不可逆阻值變化二者決定。
額定功率 電阻器在額定溫度(zui高環(huán)境溫度)tR下連續(xù)工作所允許耗散的zui大功率。對(duì)每種電阻器同時(shí)還規(guī)定zui高工作電壓,即當(dāng)阻值較高時(shí)即使并未達(dá)到額定功率,也不能超過zui高工作電壓使用。
負(fù)荷特性  當(dāng)工作環(huán)境溫度低于tR時(shí),電阻器也不能超過其額定功率使用,當(dāng)超過tR時(shí),必須降低負(fù)荷功率。對(duì)每種電阻器都有規(guī)定的負(fù)荷特性。此外,在低氣壓下負(fù)荷允許相應(yīng)降低。在脈沖負(fù)荷下,脈沖平均功率遠(yuǎn)低于額定功率,一般另有規(guī)定。
  RQ電阻器發(fā)展
  1885年英國(guó)C.布雷德利發(fā)明模壓碳質(zhì)實(shí)芯電阻器。1897年英國(guó)T.甘布里爾和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜電阻器。1913~1919年英國(guó)W.斯旺和德國(guó)F.克魯格先后發(fā)明金屬膜電阻器。1925年德國(guó)西門子-哈爾斯克公司發(fā)明熱分解碳膜電阻器,打破了碳質(zhì)實(shí)芯電阻器壟斷
  市場(chǎng)的局面。晶體管問世后,對(duì)電阻器的小型化、阻值穩(wěn)定性等指標(biāo)要求更嚴(yán),促進(jìn)了各類新型電阻器的發(fā)展。美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室1959年研制成 TaN電阻器。60年代以來,采用滾筒磁控濺射、激光阻值微調(diào)等新工藝,部分產(chǎn)品向平面化、集成化、微型化及片狀化方面發(fā)展。
 
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